展會(huì)無(wú)憂網(wǎng)2023-08-10 11:14:30展會(huì)資訊： 中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌--派恩杰半導(dǎo)體將于11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國(guó)際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì)
 

11月1日-3日，中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌--派恩杰半導(dǎo)體將于廣州保利世貿(mào)博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國(guó)際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì)。
 

派恩杰半導(dǎo)體成立于2018年9月，是中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌，主營(yíng)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件。公司擁有國(guó)內(nèi)最全碳化硅功率器件產(chǎn)品目錄，碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產(chǎn)品覆蓋各個(gè)電壓等級(jí)與載流能力，均通過(guò)AEC-Q101測(cè)試認(rèn)證，可以滿足客戶的各種應(yīng)用場(chǎng)景，提供穩(wěn)定可靠的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件產(chǎn)品。
 

派恩杰半導(dǎo)體擁有深厚的技術(shù)底蘊(yùn)和全面的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)始人黃興博士于09年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計(jì)和研發(fā)，師承IGBT發(fā)明人B. Jayant Baliga教授及晶閘管發(fā)明人Alex Huang教授。目前，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品，量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車(chē)、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為T(mén)ier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨，且產(chǎn)品質(zhì)量與供應(yīng)能力得到客戶的廣泛認(rèn)可。
 

【 展品介紹 】
 

1、HPD模塊及評(píng)估板

 

PAAC12400CM是派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)推出的一款1200V，400A，HPD封裝的三相全橋碳化硅功率模塊。相比于傳統(tǒng)的IGBT功率模塊，該產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗大幅度降低，可以顯著提高電驅(qū)系統(tǒng)的輕載效率，大幅提高電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程。同時(shí)，該產(chǎn)品采用PinFin基板，具有超強(qiáng)的散熱性能，可以極大地簡(jiǎn)化電驅(qū)系統(tǒng)的機(jī)械設(shè)計(jì)。派恩杰HPD模塊是專(zhuān)門(mén)為800V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，滿足車(chē)規(guī)級(jí)要求。
 

派恩杰設(shè)計(jì)專(zhuān)用模塊測(cè)試評(píng)估板可以對(duì)模塊進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)設(shè)計(jì)，通過(guò)外部控制信號(hào)對(duì)模塊進(jìn)行雙脈沖測(cè)試，測(cè)試評(píng)估板是針對(duì)HPD封裝設(shè)計(jì)的，驅(qū)動(dòng)能力高達(dá)±30A，該評(píng)估板可直接壓接在HPD封裝模塊上，板子尺寸為168mm*93mm，六路獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電源和驅(qū)動(dòng)芯片可以輕松驅(qū)動(dòng)PAAC12400CM。
 

2、Easy1B模塊

 

PAIA1250AM是派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)中等功率電力電子裝置應(yīng)用推出的一款1200V、13mOhm、Easy1B封裝的碳化硅功率模塊。該產(chǎn)品采用絕緣陶瓷DBC基板，既可以保證絕緣，也具有良好的散熱能力
 

3、62mm模塊

 

PAA12400BM3是派恩杰半導(dǎo)體推出的一款1200V、5.6mΩ、62mm模塊封裝的半橋結(jié)構(gòu)碳化硅功率模塊。
 

4、碳化硅器件

 

SiC MOSFET的出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了一場(chǎng)影響深遠(yuǎn)的技術(shù)革命。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻，開(kāi)關(guān)損耗，高溫運(yùn)行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，并使得系統(tǒng)的整體成本降低。因此，在汽車(chē)應(yīng)用，工業(yè)應(yīng)用，通信電源和數(shù)據(jù)中心，SiC MOSFET正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。派恩杰半導(dǎo)體在650V，1200V，1700V多個(gè)電壓平臺(tái)均有量產(chǎn)的分立器件產(chǎn)品，且在不同載流能力和封裝形式上，產(chǎn)品目錄齊全，可以為客戶提供全方位的選擇。
 

SiC SBD（碳化硅肖特基二極管）的反向恢復(fù)電荷遠(yuǎn)小于硅二極管同類(lèi)產(chǎn)品，并且 SiC SBD可以運(yùn)行在更高的結(jié)溫下。因此，SiC SBD在開(kāi)關(guān)電源中能夠明顯地減少反向恢復(fù)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲，提高開(kāi)關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率，整體功率密度和可靠性。SiC SBD優(yōu)異的特性可以顯著降低電力電子系統(tǒng)的整體成本。
 

5、碳化硅晶圓

 

AUTO TECH 2023 中國(guó)國(guó)際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì)將于2023年11月1-3日再次登陸廣州保利世貿(mào)博覽館，本次展會(huì)主要涵蓋：汽車(chē)電子、智能座艙、智能網(wǎng)聯(lián)、自動(dòng)駕駛、材料開(kāi)發(fā)、EV/HV（功率半導(dǎo)體）、測(cè)試測(cè)量、零部件加工/模具、新能源汽車(chē)制造技術(shù)等多個(gè)汽車(chē)工業(yè)的重要領(lǐng)域；作為華南重要的汽車(chē)科技創(chuàng)新展示平臺(tái)，歡迎各位汽車(chē)工程師們蒞臨展會(huì)參觀指導(dǎo)！
 

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