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GISE 2025大灣區(qū)國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會

時間:2024年06月28日

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來源:展會無憂網(wǎng)  

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地區(qū):廣東  

GISE 2025大灣區(qū)國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會

展會無憂網(wǎng)2024年06月28日展會信息訊, GISE 2025大灣區(qū)國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會
Greater Bay Area International Semiconductor Equipment Technology Exhibition
2025深圳國際第三代功率半導體器件及應用技術展覽會
International Third Generation Semiconductor Device Exhibition
2025年4月9-11日  深圳會展中心
大會主題:“智領未來,芯動灣區(qū)”

組委會:向先生 133 8158 5596(同微) E-mail:sales1expo@126.com

展會背景:
  
      隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,功率半導體作為現(xiàn)代工業(yè)和信息技術的核心組件,其重要性日益凸顯。功率半導體不僅廣泛應用于通信、新能源、電動車、消費電子、智能制造、機器人、數(shù)字經(jīng)濟等多個領域,更是推動產(chǎn)業(yè)升級和技術革新的關鍵力量。特別是在當前“中國制造2025計劃”和“十四五”規(guī)劃的背景下,國家對半導體產(chǎn)業(yè)的支持力度不斷加大,致力于提升國產(chǎn)半導體自主可控力,突破關鍵領域“卡脖子”難題。
      GISE 2025旨在匯聚全球優(yōu)質品牌,打造功率半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術交流平臺。通過集中展示半導體器件、功率模塊、材料、封裝技術、測試技術、生產(chǎn)設備、散熱管理等熱門產(chǎn)品,促進上下游企業(yè)之間的合作與交流,推動功率半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。同時,展會期間還將舉辦一系列技術論壇,展示全球產(chǎn)業(yè)動態(tài)及未來技術趨勢,為參展企業(yè)和參會客商提供一個技術交流、產(chǎn)品展示和貿易洽談的最佳平臺。

展會時間:

2025年04月7-8日(布展)
2025年04月9-11日(展覽)
2024年04月11日下午(撤展)

地點:深圳會展中心(深圳市福田區(qū)福華三路)

2大展館、6大主題展區(qū)、30000+平方米展出規(guī)模、350+國內外品牌參展商、30000+專業(yè)觀眾

參展范圍:

功率器件IGBT/MOSFET:功率器件和功率IC,功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管。

第三代半導體材料:碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AIN)為代表的寬禁帶半導體材料。

功率半導體設備:減薄機、單晶爐、研磨機、熱處理設備、光刻機、刻蝕機、離子注入設備、CVD/PVD設備固晶機、等離子清洗設備、切割機、裝片機、鍵合機、焊線機、回流焊,波峰焊、測試機、分選機、耦合機、載帶成型機、檢測設備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設備、水處理等;

設計和開發(fā):EDA、IP設計、嵌入式軟件、數(shù)字電路設計、模擬與混合信號電路設計、集成電路布局設計、IDM、Fabless廠等。

封裝測試:絲網(wǎng)印刷、自動貼片、真空回流焊接、超聲波清洗、X-RAY缺陷檢測、自動鍵合、激光打標、殼體塑封、功率端子鍵合、殼體灌膠與固化、封裝、端子成形、功能測試;

散熱管理:熱管理材料產(chǎn)業(yè)鏈:導熱界面材料、高導熱封裝材料(氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、碳化硅)以及鋁Al、銅Cu、鉬Mo、可伐合金/Silvar合金、Cu-W、Cu-Mo、Cu/Invar/Cu、Cu/Mo/Cu等,蓄熱材料(相變材料),熱電制冷器件(TEC)、粘接劑、及其加工檢測設備、耗材等。

可靠性測試:設計驗證、參數(shù)測試、可靠性驗證、系統(tǒng)分析、失效分析等。

參展費用:

(一)展位配置:標準展位9平方米起租,光地面積36平方米起租。標準展位的基本設施與服務包括:三面圍板(3×3×2.5m)、地毯、兩盞射燈、一張洽談桌(1×0.75×0.455)、兩把折椅、單項電源插座(5A/220V)、參展單位(中/英文) 楣板一條。光地僅提供場地,其它一切費用自理。
(二)展會以先申請、先付款、先安排展位為分配原則。
(三)展位費用標準(含票*):9平方米展位(標準展位15800元)(豪華展位16800元)(空地展位1600/㎡);18平及以上以9平方米一個基礎以此類推。

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